晶圆代工成熟制程聚焦特殊多元发展
2022.11.4
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市场研究机构TrendForce发布2023年十大科技产业脉动，指出晶圆代工先进制程步入电晶体结构转换期，台积电(2330)及三星两大龙头发展出现分歧，而成熟制程则聚焦特殊制程多元发展，以因应各领域所需的特殊元件用途增加趋势。 TrendForce表示，纯晶圆代工厂制程自16纳米开始，从平面式电晶体结构（Planar Transistor）进入鳍式场效（FinFET）世代，发展至7纳米制程导入极紫外光（EUV）微影技术后，FinFET结构自3纳米开始面临物理极限，先进制程两大龙头自此出现分歧。 其中，台积电延续FinFET结构，于下半年量产3纳米产品，预计明年上半年正式产出问世，并逐季提升量产规模，明年产品包括个人电脑（PC）中央处理器（CPU）及智能手机系统单芯片（SoC）等。 而三星由3纳米开始导入基于环绕闸极电晶体（GAAFET）的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构，于今年正式量产，初代产品为加密货币挖矿芯片，明年将致力于第二代3纳米制程，目标量产智能型手机SoC。 TrendForce指出，台积电及三星3纳米量产初期皆集中于对提高效能、降低功耗、缩小芯片面积等有较高要求的高速运算（HPC）和智能手机平台。 至于28纳米及以上的成熟制程方面，晶圆代工业者则聚焦特殊制程多角化发展，由逻辑制程衍伸出包括高电压（HV）、类比（Analog）、混合讯号（Mix-signal）、嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）、双极互补扩散金氧半导体（BCD）、射频（RF）等技术平台。 TrendForce指出，在5G通讯、高速运算、新能源车与车用电子等半导体特殊元件消耗增加趋势下，特殊制程主要用以专业化生产智能手机、消费电子、高速运算、车用、工控等领域所需周边IC，如电源管理、驱动、微控制器（MCU）、RF芯片等。
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