晶圆代工成熟制程聚焦特殊多元发展
2022.11.4
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市场研究机构TrendForce发布2023年十大科技产业脉动,指出晶圆代工先进制程步入电晶体结构转换期,台积电(2330)及三星两大龙头发展出现分歧,而成熟制程则聚焦特殊制程多元发展,以因应各领域所需的特殊元件用途增加趋势。 TrendForce表示,纯晶圆代工厂制程自16纳米开始,从平面式电晶体结构(Planar Transistor)进入鳍式场效(FinFET)世代,发展至7纳米制程导入极紫外光(EUV)微影技术后,FinFET结构自3纳米开始面临物理极限,先进制程两大龙头自此出现分歧。 其中,台积电延续FinFET结构,于下半年量产3纳米产品,预计明年上半年正式产出问世,并逐季提升量产规模,明年产品包括个人电脑(PC)中央处理器(CPU)及智能手机系统单芯片(SoC)等。 而三星由3纳米开始导入基于环绕闸极电晶体(GAAFET)的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构,于今年正式量产,初代产品为加密货币挖矿芯片,明年将致力于第二代3纳米制程,目标量产智能型手机SoC。 TrendForce指出,台积电及三星3纳米量产初期皆集中于对提高效能、降低功耗、缩小芯片面积等有较高要求的高速运算(HPC)和智能手机平台。 至于28纳米及以上的成熟制程方面,晶圆代工业者则聚焦特殊制程多角化发展,由逻辑制程衍伸出包括高电压(HV)、类比(Analog)、混合讯号(Mix-signal)、嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)、双极互补扩散金氧半导体(BCD)、射频(RF)等技术平台。 TrendForce指出,在5G通讯、高速运算、新能源车与车用电子等半导体特殊元件消耗增加趋势下,特殊制程主要用以专业化生产智能手机、消费电子、高速运算、车用、工控等领域所需周边IC,如电源管理、驱动、微控制器(MCU)、RF芯片等。
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