IC制作过程：

1、提取粗硅

2、清洗表面

3、初次氧化

4、在高温下沉积一层氮化硅

5、涂敷光刻胶、预烘、曝光、显影、后烘、腐蚀

6、氮化硅去除

7、去除光刻胶，放入高温炉子里进行退火，从而恢复晶格的完整性

8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷离子

8、湿化氧化，形成氮化硅保护层

9、用热磷酸去除氮化硅，形成栅极氧化层

10、表面涂光阻形成NMOS的源漏极

11、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层

12、沉积掺杂硼磷的氧化层

13、溅镀第一层金属

14、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构

15、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置

16、最后进行退火处理，以保证整个芯片的完整和连线的连接性