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Micro LED技术挑战有哪些?

2022.7.27


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       从概念表述来看,Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。
       ​其中,MicroLED显示器可提供与OLED相同的完美黑色,但没有烧伤的危险,并且比任何其他显示技术都具有更高的亮度。与OLED相比,MicroLED的另一个吸引人的特点是亮度增加。例如,尽管OLED电视的HDR标准为540尼特,但市售的基于MicroLED的电视有望提供约4000尼特,且随着技术的发展,甚至可能提供更高的尼特。
       ​同时,从理论上来说,由于MicroLED使用了无机发光材料,相对OLED的有机发光材料,其寿命期显然更具优势。只不过由于MicroLED还存在诸多技术难题,仍未大范围应用。
       ​尽管概念上很简单,但是MicroLED大规模量产却不简单。
       ​现阶段,MicroLED还有许多技术瓶颈有待突破,如芯片制造、巨量转移、检测修复等,这也是目前MicroLED出货量低、售价高昂原因。其中,在芯片制造上,外延片厚度、波长、亮度均匀性与一致性要求更高,芯片结构比传统LED更为复杂,且目前行业制造工艺尚未标准化,使得工艺和设备标准化程度低、良品率和产量尚不成熟。
       ​不过,MicroLED最大的技术痛点是巨量转移。因为芯片制造完成后,需要将微米级的晶粒转移到驱动电路基底上,无论是TV屏还是手机屏转移数量相当巨大,并且显示产品对于像素错误的容忍度极低。例如要制造少于5个像素坏点的全彩1920*1080显示屏,良率必须达到99.9999%!
       ​同时,MicroLED坏点检测修复也是难点之一。由于MicroLED尺寸极小,传统测试设备难以使用,如何在百万级甚至千万级的芯片中对坏点进行检测修复是一大挑战,同样通过检测技术挑出缺陷晶粒后,如何替换坏点也是一项不可或缺的技术。
       ​综合上文,我们可以得出关于巨量转移的结论:一是MicroLED芯片需要进行多次转移(至少需要从蓝宝石衬底→临时衬底→新衬底),且每次转移芯片量非常大,对转移工艺的稳定性和精确度要求非常高;二是对于R/G/B全彩显示而言,由于每一种工艺只能生产一种颜色的芯片,故需要将红/ 绿/蓝芯片分别进行转移,需要非常精准的工艺进行芯片的定位,极大的增加了转移的工艺难度;三是MicroLED的厚度仅为几微米,将其精确地放置在目标衬底上的难度非常高,芯片尺寸及间距都很小,要将芯片连上电路也是一个挑战。


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