第三代半导体将在中国“新基建”领域发挥重要作用
2022.5.13
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近年来中国大力发展新基建，其中包括5G基站、数据中心、新能源汽车充电桩、轨道交通等七大领域以及底层的可再生能源，而以SiC和GaN为首的第三代半导体则正是支撑新基建发展的核心半导体材料，因此也迎来了巨大的市场机会，备受资本青睐。 据TrendForce集邦咨询统计，2021年至今已有许多从事第三代半导体事业的相关厂商获得融资，碳化硅领域有泰科天润、瀚薪、同光晶体、天域半导体、瞻芯、派恩杰、芯粤能等，氮化镓领域则有GaNSystems、CGD、IVWorks、VisIC、英诺赛科、晶湛半导体、镓未来等等。 “近年来第三代半导体业者也在积极登陆资本市场，去年Wolfspeed和Navitas分为作为碳化硅和氮化镓行业领头羊成功完成上市，今年国内的山东天岳也已经登陆科创板，海外Transphorm公司则成功转板登陆纳斯达克，另外GaNSystems、Odyssey、天科合达、同光晶体等厂商也正在筹备IPO，整个产业的资本热度持续高居不下。”龚瑞骄谈道。 第三代半导体SiC和GaN通过突破Si性能极限，来开拓高端应用市场，也将在部分与Si交叉领域达到更高的性能和更低的系统性成本，因此被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。 全球能源技术革命已经开启，并向材料领域渗透，相信第三代半导体将在实现碳达峰、碳中和的过程中发挥重要作用。郑重声明：1、部分内容来源于网络，本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的。2、本文仅供学术交流，非商用。如果某部分不小心侵犯了大家的利益，请联系删除。
